【導(dǎo)讀】隨著電子信息產(chǎn)品屏幕顯示技術(shù)的演進(jìn)，AMOLED（Active-Matrix Organic LED）顯示屏，即有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏，因具有色彩鮮艷、輕薄、主動(dòng)發(fā)光（無(wú)需背光源）、視角寬、清晰度高、亮度高、響應(yīng)快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強(qiáng)、可實(shí)現(xiàn)柔軟顯示等特點(diǎn)，成為當(dāng)今高端顯示屏的熱門(mén)選擇。智能手環(huán)、智能手表等也已全面采用AMOLED顯示屏。
SGM38046是一顆專(zhuān)門(mén)為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸AMOLED顯示屏提供AVDD、ELVDD、ELVSS的電源管理芯片，在對(duì)稱(chēng)電壓ELVDD、ELVSS模式下效率優(yōu)化。
小尺寸AMOLED顯示屏電源芯片技術(shù)演變路線
影響AMOLED電源器件架構(gòu)的因素：
● 綜合尺寸（多電感、單電感、無(wú)電感）；
● 輸入電壓范圍；
● 輸出電壓配置（非對(duì)稱(chēng)電壓、對(duì)稱(chēng)電壓）；
● 負(fù)載電流大小。
幾種常見(jiàn)的單電感架構(gòu)：
● 架構(gòu)A：Boost + NVCP（負(fù)壓電荷泵）；
● 架構(gòu)B：Boost/Bypass + LDO + NVCP；
● 架構(gòu)C：Buck-Boost + LDO + NVCP；
● 架構(gòu)D：類(lèi)似SGM38042的SIMO（單電感多輸出）架構(gòu)。
無(wú)電感架構(gòu)：
● SGM38045：無(wú)電感架構(gòu)，且待下回分解。
電荷泵結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
圖1 幾種常見(jiàn)的電荷泵結(jié)構(gòu)示意圖
電荷泵結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：
● 每使用一個(gè)飛電容，需要4個(gè)開(kāi)關(guān)管，硅片開(kāi)銷(xiāo)大。
● 在接近整倍率電壓下工作時(shí)，效率主要由開(kāi)關(guān)組導(dǎo)通電阻決定。
● 小電流高電壓場(chǎng)景對(duì)開(kāi)關(guān)組導(dǎo)通電阻要求低，效率高，解決方案優(yōu)勢(shì)顯著。
幾種常見(jiàn)小尺寸電源架構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比分析
架構(gòu)A：Boost + NVCP（負(fù)壓電荷泵）
圖2 架構(gòu)A
優(yōu)點(diǎn)：
● Boost架構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單；
● 外圍僅需1L+6C。
缺點(diǎn)：
● 僅2路輸出，無(wú)AVDD；
● 不適用于高壓電池應(yīng)用，連接充電器輸出不穩(wěn)；
● 需要復(fù)雜的負(fù)壓電荷泵電路，11個(gè)開(kāi)關(guān)管，外圍器件多；
● 正壓效率損失大；
● 不適用于對(duì)稱(chēng)電壓。
架構(gòu)B：Boost/Bypass + LDO + NVCP
圖3 架構(gòu)B
優(yōu)點(diǎn)：
● Boost/Bypass架構(gòu)AVDD不再受限于輸入電壓范圍；
● 配置相對(duì)靈活。
缺點(diǎn)：
● 對(duì)稱(chēng)電壓應(yīng)用，VIN高壓時(shí)效率低下；
● 非對(duì)稱(chēng)電壓應(yīng)用，正壓效率損失大；
● 不適用更高電壓電池、更低輸出電壓的應(yīng)用；
● 需要-0.5×CP，12個(gè)開(kāi)關(guān)管，外圍器件多；
● 外圍需要1L+10C。
SGM38042架構(gòu)：SIMO（單電感多輸出）
圖4 SGM38042架構(gòu)
優(yōu)點(diǎn)：
● 專(zhuān)利電路，分時(shí)SIMO架構(gòu)，電路框架簡(jiǎn)單；
● 無(wú)需負(fù)壓電荷泵，僅需7個(gè)開(kāi)關(guān)管；
● 正負(fù)電源紋波抑制，LDO損耗低；
● 輸入電壓范圍寬；
● 外圍僅需1L+6C。
缺點(diǎn)：
● AVDD由VIN經(jīng)LDO輸出，電壓范圍受限于VIN；
● SIMO架構(gòu)輸出正負(fù)壓，需要采用高耐壓器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，效率提升困難。
SGM38046架構(gòu)
圖5 SGM38046架構(gòu)
優(yōu)點(diǎn)：
● AVDD不再受限于輸入電壓范圍；
● 適用于對(duì)稱(chēng)電壓，效率相對(duì)較高；
● 適合高壓電池應(yīng)用。
缺點(diǎn)：
● Buck-Boost架構(gòu)，需要Q1~Q4共4個(gè)大管；
● 外圍需要1L+9C。
ELVDD/ELVSS為什么要采用對(duì)稱(chēng)電壓？
對(duì)稱(chēng)電壓下AMOLED屏的功耗更低：
● 非對(duì)稱(chēng)模式下ELVDD/ELVSS采用4.6V/-2.4V總壓差7V供電；
● 對(duì)稱(chēng)模式下ELVDD/ELVSS采用3.3V/-3.3V總壓差6.6V供電；
● 單從工作電壓看，非對(duì)稱(chēng)情況下7V比對(duì)稱(chēng)電壓6.6V效率低6.06%。
對(duì)稱(chēng)模式下電路架構(gòu)更簡(jiǎn)單，如下圖所示：
圖6 非對(duì)稱(chēng)及對(duì)稱(chēng)模式下電路示意圖
● 非對(duì)稱(chēng)模式下負(fù)壓電荷泵需要7~8個(gè)MOSFET；
● 對(duì)稱(chēng)模式下負(fù)壓電荷泵僅需要4個(gè)MOSFET。
對(duì)稱(chēng)模式的電源拓?fù)浼軜?gòu)比非對(duì)稱(chēng)模式更省電，如下圖所示：
圖7 非對(duì)稱(chēng)及對(duì)稱(chēng)模式下電路架構(gòu)
非對(duì)稱(chēng)模式下：
● ELVDD需由5.4V產(chǎn)生4.6V，損耗15%；
● AVDD需由5.4V產(chǎn)生3.3V，損耗39%；
● ELVSS需由-2.7V產(chǎn)生-2.4V，損耗11%。
對(duì)稱(chēng)模式下：
● ELVDD僅需由3.6V產(chǎn)生3.3V，損耗8.4%；
● AVDD僅需由3.6V產(chǎn)生3.3V，損耗8.4%；
● ELVSS僅需由-3.6V產(chǎn)生-3.3V，損耗8.4%。
兩相比較，對(duì)稱(chēng)模式下各電源比非對(duì)稱(chēng)模式下省電：
● ELVDD省6.6%；
● AVDD省30.6%；
● ELVSS省2.6%。
補(bǔ)充說(shuō)明：VDD-VSS不對(duì)稱(chēng)電壓結(jié)構(gòu)是從LCD采用的薄膜晶體管陣列（TFT Matrix）驅(qū)動(dòng)沿襲過(guò)來(lái)的。演化的小尺寸TFT驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)是針對(duì)電源電壓范圍，TFT的開(kāi)關(guān)特性，顯示單元驅(qū)動(dòng)要求和既有設(shè)計(jì)繼承的設(shè)計(jì)綜合優(yōu)化的結(jié)果。TFT設(shè)計(jì)以及盡力降低它和OLED工作電壓促成了可以采用對(duì)稱(chēng)方式供電；目前受限制于ITO透明引線的特性，在大尺寸應(yīng)用中尚不能采用對(duì)稱(chēng)方式供電。
SGM38046是一顆以對(duì)稱(chēng)電壓模式優(yōu)化的小尺寸AMOLED電源芯片（同樣支持非對(duì)稱(chēng)電壓模式工作，但在該模式下性能與其它芯片類(lèi)似）。
SGM38046主要特性
● 輸入電壓：2.7V～5.5V；
● AVDD輸出電壓：3.3V；
● OVDD輸出電壓：2.8V～4.6V（默認(rèn)輸出電壓：3.3V ± 1%，0.1V步進(jìn)）；
● OVSS輸出電壓：-0.6V～-4.0V（默認(rèn)輸出電壓：3.3V ± 1%，0.1V步進(jìn)）；
● OVDD & OVSS組合輸出電流能力高達(dá)90mA；
● 優(yōu)秀的線性和負(fù)載調(diào)整率；
● 低紋波和優(yōu)秀的瞬態(tài)響應(yīng)；
● 輸出負(fù)載與輸入分離；
● 欠壓鎖定、過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)功能；
● 輕載效率下節(jié)能（Power-Save）模式；
● 關(guān)斷電流：低于1μA；
● WLCSP-2×2-16B綠色封裝。
SGM38046封裝及引腳分布
圖8 SGM38046封裝圖
SGM38046典型應(yīng)用電路圖
圖9 SGM38046典型應(yīng)用電路
SGM38046效率曲線
圖10 SGM38046效率曲線
相關(guān)產(chǎn)品信息
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