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基于IM828-XCC的高速電機驅(qū)動器設(shè)計

發(fā)布時間:2023-08-17 來源:英飛凌 責任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】隨著現(xiàn)代機床向高速、高精度方向發(fā)展,對機床主軸的技術(shù)要求越來越高。電主軸作為高速機床的重要組成部件之一,因其轉(zhuǎn)速高、體積小和優(yōu)異的動態(tài)性能等特性,可有效提高機床的動態(tài)平衡,避免了振動和噪聲。主軸電機放置在機床的主軸單元內(nèi),直接驅(qū)動負載。因此,簡化了傳統(tǒng)的機械驅(qū)動結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了“零驅(qū)動”。由于電主軸的廣泛應(yīng)用,推動著電機主軸系統(tǒng)向高精度、高速、低能耗、高效率、高可靠性的方向不斷發(fā)展,成為目前世界各國研究的熱點。


在現(xiàn)代電主軸、機軸一體化的趨勢下,要達到高速度和小型化的要求,會增大感應(yīng)電機的銅耗,出現(xiàn)過熱、磨損嚴重的現(xiàn)象,導(dǎo)致電機性能不足。隨著永磁同步電機的發(fā)展,高速永磁同步電主軸應(yīng)用愈加廣泛。高速永磁同步電主軸與傳統(tǒng)異步感應(yīng)電機相比,由永磁體提供氣隙磁場,具有功率因數(shù)高、體積小、效率高等優(yōu)點,在高速磨削系統(tǒng)、高速離心空壓機等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用和發(fā)展前景。


高速永磁同步電機(High-Speed Permanent Magnet Synchronous Motor , HSPMSM),通常指額定轉(zhuǎn)速超過10000r/min以上或者指困難系數(shù)(轉(zhuǎn)速與功率平方根的乘積)處于(1~10)×105r/min√kw范圍內(nèi)的電機,其控制性能決定著系統(tǒng)工作效率、運行穩(wěn)定性、壽命以及可靠性等方面,而控制特性也依賴于電路設(shè)計和驅(qū)動器中的功率半導(dǎo)體性能,尤其SiC逆變技術(shù)的引入使得HSPMSM驅(qū)動器的性能有了長足的進步。


本文將介紹由西安理工大學(xué)電氣工程學(xué)院王建淵老師課題組搭建的一款基于IM828-XCC的高速電機驅(qū)動器,用于驅(qū)動一臺額定轉(zhuǎn)速15000r/min,額定功率2.2kW的高速主軸電機,以實現(xiàn)對高速電機的高性能控制,具有高功率密度、高效率和低熱耗散等特點。


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本項目設(shè)計的高速永磁同步電機驅(qū)動控制系統(tǒng)需實現(xiàn)的主要功能有:實現(xiàn)電流和電壓等信號的采樣處理與控制;實現(xiàn)高速永磁同步電機無傳感器的轉(zhuǎn)速閉環(huán)控制;實現(xiàn)對電機運行狀態(tài)的速度、定子電流、電壓、功率器件工作溫度等相關(guān)數(shù)據(jù)的監(jiān)測,方便電機運行狀態(tài)的檢查與后期維護。


高速永磁同步電機驅(qū)動控制系統(tǒng)要求電機起動平穩(wěn)、速度穩(wěn)定和可調(diào)速范圍廣,根據(jù)高速永磁同步電機的主要參數(shù)來設(shè)計其驅(qū)動控制系統(tǒng)的技術(shù)指標要求如下:


1 驅(qū)動器最高輸出功率:4kW;


2 電機速度控制穩(wěn)態(tài)精度:±0.5%;


3 驅(qū)動器保護功能:具備過壓、過流、過熱等故障診斷及保護功能。


CIPOS? Maxi IM828簡介


高速電機因其轉(zhuǎn)速高、基頻高的特點,對相應(yīng)的驅(qū)動技術(shù)提出了更高要求,若開關(guān)頻率過低時,會導(dǎo)致驅(qū)動器輸出電壓波形質(zhì)量較差,隨著轉(zhuǎn)速升高,控制延遲及時間延遲也會隨之加大進而影響控制精度。本課題所設(shè)計搭建的高速電機驅(qū)動器選用英飛凌公司生產(chǎn)的IM828-XCC,其采用SiC MOSFET組成橋式單元,具有優(yōu)良導(dǎo)熱性能,適用于工業(yè)驅(qū)動、電機控制等工業(yè)應(yīng)用。由于采用碳化硅技術(shù),使其成為高速電機驅(qū)動領(lǐng)域的最佳選擇。


IM828-XCC具體分為以下幾個功能單元部分:


逆變部分:采用1200V CoolSiC? Mosfet的三相逆變器與優(yōu)化的6通道SOI柵極驅(qū)動器相結(jié)合,具有優(yōu)異的電氣性能,采用CoolSiC的逆變單元,導(dǎo)通損耗小,開關(guān)特性優(yōu)異。


保護功能:過電流關(guān)閉,內(nèi)置NTC熱敏電阻用于溫度監(jiān)測,所有通道的欠壓鎖定,低側(cè)源引腳可用于所有相電流監(jiān)測,保護期間6個開關(guān)全部關(guān)閉。


其他功能:允許負VS電位高達-11V,用于VBS=15V的信號傳輸,集成自舉功能。


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圖1:IM828-XCC器件內(nèi)部框圖和器件圖片


驅(qū)動器設(shè)計


為了充分展示IM828的出色性能和優(yōu)秀特點,設(shè)計了一款4.0kW的驅(qū)動器,圖2所示為控制板部分,圖3所示為功率板部分。


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圖2:控制部分主要器件位置


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圖3:驅(qū)動控制器功率部分主要器件位置


為了驗證驅(qū)動板的性能,測試了在不同工況下IPM的開關(guān)特性對電機運行的影響,通過三相調(diào)壓器對平臺供電,被控電機是意大利YSA公司研制的高速主軸電機,電機具體參數(shù)如表1所示。電機控制方式為有速度FOC,如圖4所示為IPM的W相橋臂開關(guān)管的dv/dt。


表1 高速電機參數(shù)

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實驗工況一


在空載運行條件下分別進行了fs為20kHz和fs為60kHz工況下的性能測試。


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圖4:fs=20kHz IPM的W相橋臂開關(guān)管關(guān)斷的dv/dt


根據(jù)測試波形可以得到關(guān)斷時上管的dv/dt為2809V/us,下管的dv/dt為3025V/us。同時也對IPM的導(dǎo)通與關(guān)斷延時進行了測試,測試結(jié)果如圖5所示,并對MCU到IPM的驅(qū)動信號延時進行測試,測試結(jié)果如圖6所示。


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圖5:fs=20kHz IPM的導(dǎo)通與關(guān)斷延時


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圖6:fs=20kHz CPU到IPM的驅(qū)動信號延時


同時,為了體現(xiàn)IPM_828-CXX在高開關(guān)頻率下的特性,在開關(guān)頻率為60kHz下也進行了相關(guān)波形采集,如圖7-9分別為在fs=60kHz下的W相橋臂開關(guān)管關(guān)斷時的dv/dt、IPM的導(dǎo)通與關(guān)斷延時、MCU到IPM的驅(qū)動信號延時。


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圖7:fs=60kHz IPM的W相橋臂開關(guān)管關(guān)斷的dv/dt


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圖8:fs=60kHz IPM的導(dǎo)通與關(guān)斷延時


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圖9:fs=60kHz CPU到IPM的驅(qū)動信號延時


實驗工況二


電機空載啟動,給定轉(zhuǎn)速1000r/min,穩(wěn)定運行時突加滿載TL=1.75N.m,開關(guān)頻率fs=30kHz,電機的相電流如下圖10所示,其中圖(a)為空載運行時的電流波形,圖(b)為滿載運行時的電流波形,可以看出電機在空載情況下運行時,輸出電流在0A附近波動;電機在滿載情況下運行時,輸出電流穩(wěn)定,實驗結(jié)果也驗證了本課題所設(shè)計搭建的實驗平臺具有良好的驅(qū)動性能。


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圖10:電機突變載情況下的電流波形


此時IPM中W相橋臂的dv/dt波形如下:


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圖11:W相橋臂上管的關(guān)斷與開通時的dv/dt


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圖12:W相橋臂下管的關(guān)斷與開通時的dv/dt


表2 滿載時IPM內(nèi)部W相橋臂MOS管的dv/dt

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當電機系統(tǒng)穩(wěn)定運行15分鐘,在環(huán)境溫度為21℃的條件下,用手持的溫度測試儀測得芯片附近的溫度為40.6℃。


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系統(tǒng)設(shè)計要點及經(jīng)驗分享


硬件驅(qū)動保護調(diào)理


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圖10:硬件驅(qū)動保護調(diào)理電路圖


硬件驅(qū)動保護調(diào)理電路具有以下保護功能:


1. MCU復(fù)位;

2. 母線過壓;

3. 母線過流;

4. IPM復(fù)位信號(VDD欠壓、ITRIP過流);

5. Enable_PWM。


故障時,PWM-/EN引腳輸出為高電平,74LVX4245停止輸出;正常時引腳輸出為低電平。


散熱器設(shè)計


高速電機驅(qū)動控制器尺寸較小,功率較大,如何將熱量快速散去也是整體設(shè)計的難點之一,根據(jù)圖11所示得設(shè)計原理,考慮到IPM_IM828-XCC的位置,需要在IPM以及整流橋各加裝墊塊,IPM墊塊是為了保證IPM和散熱器之間的爬電間距和安全距離。


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圖11:散熱器設(shè)計


熱保護設(shè)計

在驅(qū)動控制器溫度過高,超過了設(shè)定值,會起到保護作用。


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圖12:熱保護設(shè)計原理圖


上圖所示的溫度檢測電路,其基本原理是利用NTC熱敏電阻(5KΩ,精度)的阻值變化特性,連接到PNP管構(gòu)成1mA的恒流源電路中,即可檢測熱敏電阻上的壓降變化,經(jīng)過電壓跟隨器與RC電路輸入到MCU,通過軟件實現(xiàn)過溫保護。


在本文所提及的熱保護設(shè)計方案中,考慮到熱敏電阻安裝部位與芯片之間存在傳導(dǎo)熱損失,故設(shè)置過溫保護點為90℃,此時根據(jù)NTC熱敏電阻阻值變化特性表,此時阻值為,MCU側(cè)的輸入電壓為0.6V左右,通過DAC模塊讀取電壓之后經(jīng)過軟件程序的比較,輸出保護信號,進而封鎖驅(qū)動信號,保護器件。


參考文獻


[1]Datasheet of Infineon CIPOS? Maxi IPM IM828-XCC


[2]Wu S, Tian C, Zhao W, et al. Design and analysis of an integrated modular motor drive for more electric aircraft[J]. IEEE Transactions on Transportation Electrification, 2020, 6(4): 1412-1420.


作者:王建淵,顏肅

來源:英飛凌



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