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微特電機(jī)：林泉電機(jī)投資2億元生產(chǎn)基地奠基
11月30日，貴州航天林泉電機(jī)有限公司貴州研發(fā)生產(chǎn)基地在高新區(qū)開(kāi)工奠基。
2008-12-03
電機(jī) 微特電機(jī)
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淺談固態(tài)繼電器的正確使用
固態(tài)繼電器相比傳統(tǒng)電磁繼電器具有更小、更輕的特點(diǎn)，并且它還可以采用表貼安裝生產(chǎn)。而且僅就可靠性而言，固態(tài)繼電器在工作壽命方面提供了巨大的改善機(jī)會(huì)，加上其他內(nèi)在的優(yōu)點(diǎn)，使得這種器件成為愈來(lái)愈多應(yīng)用的首選。兩種類(lèi)型的繼電器的特性和設(shè)計(jì)也不相同。過(guò)去采用電磁繼電器的設(shè)計(jì)師將會(huì)發(fā)現(xiàn)固...
2008-12-02
固態(tài)繼電器 電磁繼電器 可控硅開(kāi)關(guān) 漏電流
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μPA2745/2749：NEC電子最新PC用功率MOSFET
NEC電子日前推出2款適用于電腦中DC/DC轉(zhuǎn)換器用的功率MOSFET產(chǎn)品，并以“μPA2745”、“μPA2749”的品名于即日起提供樣品。作為該系列的擴(kuò)充產(chǎn)品，該2款產(chǎn)品成功將電力損耗最低降低3%。
2008-12-02
μPA2749 μPA2745 電腦應(yīng)用 MOSFET
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中芯MEMS出師不利 恩智浦訂單緊急喊停
10月底宣布跨足微機(jī)電(MEMS)晶圓代工的中芯國(guó)際出師不利，MEMS設(shè)備商指出，由于大客戶(hù)恩智浦(NXP)原計(jì)劃在中芯投產(chǎn)MEMS麥克風(fēng)，卻因當(dāng)前景氣不明而緊急喊煞車(chē)，這對(duì)于整體MEMS晶圓代工市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑再度投下一個(gè)充滿(mǎn)變量的震撼彈。不過(guò)，中芯對(duì)此并未予以回應(yīng)。
2008-12-02
晶圓代工 麥克風(fēng) MEMS 微機(jī)電
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科博萊在我國(guó)建亞洲首座汽車(chē)電子工廠
意大利科博萊汽車(chē)技術(shù)有限公司準(zhǔn)備在華興建其在亞洲首座生產(chǎn)廠，將生產(chǎn)汽車(chē)電子安全系統(tǒng)，包括防盜與泊車(chē)輔助系統(tǒng)。新廠及一座研發(fā)中心在2010年投產(chǎn)后，該廠的防盜與泊車(chē)輔助系統(tǒng)總產(chǎn)能將達(dá)到300萬(wàn)個(gè)。
2008-12-01
汽車(chē)電子 安全系統(tǒng) 防盜 泊車(chē)輔助系統(tǒng)
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晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎(jiǎng)
2008年11月18～20日，英飛凌（Infineon:原西門(mén)子半導(dǎo)體集團(tuán)公開(kāi)上市公司）在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區(qū)代理商大會(huì)。參會(huì)代表來(lái)自英飛凌德國(guó)總部，亞太地區(qū)總部（新加坡），以及亞太地區(qū)的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導(dǎo)體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
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FDMA1027/2P853：飛兆半導(dǎo)體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿(mǎn)足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項(xiàng)可滿(mǎn)足下一代便攜產(chǎn)品如手機(jī)的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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歐盟研發(fā)出光效為39．7％的太陽(yáng)能電池
2008年11月24日消息，來(lái)自歐盟委員會(huì)資助的項(xiàng)目Fullspectrum的科學(xué)家研發(fā)出了光伏轉(zhuǎn)換效率達(dá)39.7%的太陽(yáng)能電池。據(jù)說(shuō)，這是歐盟目前所能達(dá)到的最高光效。
2008-11-26
光伏 晶硅光伏電池 太陽(yáng)能電池 光能
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DS4560：Maxim具有自我保護(hù)及重啟功能的熱插拔開(kāi)關(guān)
Maxim推出具有自我保護(hù)及重啟功能的完全集成熱插拔開(kāi)關(guān)DS4560。器件極大地減少了12V供電背板系統(tǒng)中保證安全插入和拔出操作所需的元件數(shù)量。為減小方案尺寸、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，DS4560集成了25mΩ n溝道功率MOSFET，從而省去了外部MOSFET。DS4560專(zhuān)為12V系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，是企業(yè)級(jí)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、服務(wù)器/路由器、PCI E...
2008-11-25
DS4560 熱插拔開(kāi)關(guān) PCIe InfiniBand MOSFET
- 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)演進(jìn)：從基礎(chǔ)驅(qū)動(dòng)到智能閉環(huán)控制
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