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歐洲光伏工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)未來(lái)光伏行業(yè)的預(yù)測(cè)
據(jù)專家預(yù)測(cè)，太陽(yáng)能因其顯著的優(yōu)點(diǎn)將成為人類理想的替代能源，市場(chǎng)上有望出現(xiàn)并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)高潮。本文介紹了太陽(yáng)能供電系統(tǒng)的基本概念，并結(jié)合具體電路說(shuō)明用于并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器智能控制技術(shù)。
2008-10-29
太陽(yáng)能供電系統(tǒng) 逆變器 MPP點(diǎn) MPPT (DSC)—TMS320F2833x
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太陽(yáng)能設(shè)備發(fā)展情況概述
近年來(lái)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，我國(guó)光伏設(shè)備已具備太陽(yáng)能電池整線制造的基本能力，但高端設(shè)備仍需進(jìn)口。太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展帶動(dòng)我國(guó)光伏設(shè)備的換代升級(jí)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備也相繼在大生產(chǎn)線應(yīng)用且發(fā)展勢(shì)頭良好。目前提高效率降低成本仍是國(guó)產(chǎn)光伏設(shè)備的進(jìn)一步的發(fā)展方向。
2008-10-28
光伏設(shè)備 硅片加工 硅材料提純 提高效率降低成本
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ABB變頻器在風(fēng)力發(fā)電行業(yè)的應(yīng)用
本文簡(jiǎn)介了四種風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)，講述了變速恒頻雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)工作原理以及ABB風(fēng)力發(fā)電變頻器，最后講了一個(gè)應(yīng)用案例。
2008-10-23
風(fēng)力發(fā)電 ABB 變頻器
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IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。
2008-10-23
IGBT 半導(dǎo)體 開(kāi)關(guān) 外殼
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變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及前景展望
本文講了變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展概況，變頻調(diào)速技術(shù)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀以及變頻調(diào)速未來(lái)的發(fā)展方向。
2008-10-23
變頻調(diào)速 現(xiàn)狀 發(fā)展 變頻器
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變頻技術(shù)在設(shè)備改造中的應(yīng)用
本文主要講了SGZ1000-N 型三足式全自動(dòng)下部卸料離心機(jī)的改造，采用變頻器對(duì)離心機(jī)的電動(dòng)機(jī)進(jìn)行控制。
2008-10-23
變頻器 調(diào)速 輸出頻率
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高壓大功率變頻器在長(zhǎng)輸管道上的應(yīng)用
高壓大功率的大型變頻器在長(zhǎng)輸管道輸油生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)用可以節(jié)省電力，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，本文介紹了秦京線的應(yīng)用實(shí)例。
2008-10-23
變頻器 長(zhǎng)輸管道 節(jié)能
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高壓交流隔離開(kāi)關(guān)和接地開(kāi)關(guān)選用的若干問(wèn)題
本文分析了高壓交流隔離開(kāi)關(guān)和接地開(kāi)關(guān)選用的若干問(wèn)題，包括：隔離開(kāi)關(guān)開(kāi)合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開(kāi)關(guān)開(kāi)合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開(kāi)關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開(kāi)關(guān)的短路持續(xù)時(shí)間和隔離開(kāi)關(guān)的過(guò)載能力、接地開(kāi)關(guān)的長(zhǎng)期通流問(wèn)題、絕緣子爬電距離是否需要進(jìn)行海拔修正的問(wèn)題。
2008-10-23
隔離開(kāi)關(guān) 接地開(kāi)關(guān) 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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