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宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計人員把目光投向先進技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個重要的話題。
2022-12-20
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簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機系統(tǒng)等領(lǐng)域的進步。
2022-12-19
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碳化硅器件驅(qū)動設(shè)計之寄生導通問題探討
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-12-16
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通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-16
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分析自動化第三季度市場數(shù)據(jù)，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏制造業(yè)訂單增長最好，印刷、制藥、暖通空調(diào)、食品機械和電梯持平，其它行業(yè)都有降低。相關(guān)應(yīng)用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設(shè)備制造商影響有變化，PLC和工控機用HMI方案和網(wǎng)關(guān)也有市場需求起伏。其中伺服、CNC增長率為負，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長，其中PLC整體表現(xiàn)相對亮眼，達到兩位數(shù)以上的增長率。
2022-12-16
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使用 SiC JFET 接近完美開關(guān)
碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術(shù)，實現(xiàn)了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質(zhì)因數(shù)直接關(guān)系到開關(guān)的實際性能及其經(jīng)濟性，與競爭技術(shù)相比，每個晶圓的芯片數(shù)量更多，性能相當。
2022-12-16
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Vicor攜手貿(mào)澤推出以48V設(shè)計為主題的全新資源網(wǎng)站
2022年12月14日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Vicor聯(lián)手推出一個全新的資源網(wǎng)站，提供各種面向48V產(chǎn)品和電源設(shè)計的資源。該網(wǎng)站包含一系列深入詳細的文章、視頻和信息圖，為設(shè)計人員和制造商提供了全面的資源，助其開發(fā)采用48V較高壓配電系統(tǒng)的新型電源。
2022-12-14
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數(shù)字電容器 IC 如何簡化天線調(diào)諧？
天線調(diào)諧要求的源阻抗和負載阻抗共軛匹配，從無線技術(shù)誕生開始一直延續(xù)至今，而今已經(jīng)演變成一種新的、更具挑戰(zhàn)性的形式。
2022-12-14
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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”多項殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”評選中榮獲多項獎項。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎”，高功率圖騰柱PFC控制器NCP1681獲“綠色節(jié)能獎”?！癟op 10電源產(chǎn)品獎”由21IC中國電子網(wǎng)主辦，備受行業(yè)認可，獲得該殊榮的產(chǎn)品代表其在本年度具有極高的產(chǎn)品力和技術(shù)創(chuàng)新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-12-13
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。
2022-12-12
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實現(xiàn)測試測量突破性創(chuàng)新，采用ASIC還是FPGA？
作為世界創(chuàng)新的幕后英雄，特別是在電子器件和通信技術(shù)方面，工程師們要開發(fā)測試設(shè)備，驗證這些新技術(shù)，以把新技術(shù)推向市場。這些工程師必須運行尖端技術(shù)，處理預(yù)測行業(yè)和創(chuàng)新未來的挑戰(zhàn)。在開創(chuàng)未來的過程中，測試測量工程師面臨的基礎(chǔ)性創(chuàng)新挑戰(zhàn)之一，是確定設(shè)計中采用專用集成電路(ASIC)還是現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。
2022-12-09
- 步進電機驅(qū)動器技術(shù)演進：從基礎(chǔ)驅(qū)動到智能閉環(huán)控制
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