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解讀新標準下光伏陣列保護熔斷器的選擇
《光伏發(fā)電機組裝置和安全要求》正式標準預計在2012年下半年或2013年發(fā)布，本文對IEC62548標準中涉及的過流保護部分進行歸納，從過流保護熔斷體和熔斷器支持件、過電流保護熔斷體額定電流等方面解讀光伏陣列保護熔斷器的選擇。
2012-05-22
好利來 過電流保護 光伏陣列
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關(guān)和導通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。
2012-05-21
IGBT Power MOS 8 Microsemi
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美國Molycorp CEO：通過“鳳凰計劃”逐步增加美國稀土產(chǎn)量
稀土在生產(chǎn)高科技產(chǎn)品、可再生能源發(fā)電裝置及電動汽車（EV）等時不可或缺，其關(guān)注度正不斷提高。有關(guān)中國稀土產(chǎn)量占全球一半以上、過度依賴中國存在風險之類討論一直不斷。 隨著稀土價格不斷上漲，中國以外其他產(chǎn)地的稀土開發(fā)越來越活躍。關(guān)于現(xiàn)狀及今后的預測，中國外全球最大稀土開采商美國Molyco...
2012-05-21
稀土 EV Molycorp
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兼顧多國標準的光伏陣列保護熔斷器選型分析
為及時隔離故障光伏串，也為避免局部異常接線形成的過流危害，在光伏陣列設(shè)置直流光伏保險絲非常重要。如何才能正確選擇光伏保險絲呢？本文兼顧美國標準、 北美標準和我國標準帶來詳細的光伏陣列保護用熔斷器的選擇分析。
2012-05-18
保護熔斷器 光伏陣列 熔斷器
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君耀強效放電管選型指南
SPG強效應(yīng)玻璃放電管是一種靠內(nèi)部微間隙放電的一種保護器件，在電極微間隙之間充有穩(wěn)定的惰性氣體，并采用玻璃殼和杜鎂絲頭在高溫下燒結(jié)密封而形成的。
2012-05-18
君耀 強效 放電管
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大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護方案
隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)損耗低及工作頻率高等特點，而越來越多地應(yīng)用到工作頻率為幾十kHz以下，輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環(huán)節(jié)就是高性能的過流保護電...
2012-05-17
逆變器 IGBT 過流保護
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STM32F0：ST推出基于Cortex-M0內(nèi)核的超低成本及功耗32位MCU
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商、世界領(lǐng)先的微控制器供應(yīng)商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）擴大已取得巨大成功的經(jīng)過市場檢驗的包含300多款產(chǎn)品的 STM32微控制器產(chǎn)品陣容，推出全新的STM32F0系列32位微控制器。新產(chǎn)品基于超低功耗的 ARM Cortex-M0處理器內(nèi)核，整合增強的...
2012-05-16
STM32F0 STM32 32位微控制器 Cortex-M0 意法半導體
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電力系統(tǒng)繼電保護干擾原因及其防護方法
繼電保護是電力系統(tǒng)最重要的二次系統(tǒng)。它對電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定地運行起著極為重要地作用。隨著近年來微機繼電保護的不斷投入，以往的檢驗標準已逐漸不適應(yīng)系統(tǒng)的發(fā)展，因此。我們需要尋求更加完善的檢驗方法，只有系統(tǒng)、全面、準確地進行繼電保護檢驗。才能確保整個電力系統(tǒng)的安全。本文筆者根據(jù)多年...
2012-05-16
電力系統(tǒng) 繼電保護
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過流保護—電流保險絲選型原理
熔斷體是對電流敏感的元件，當故障電流超過熔斷額定值時，熔斷體會以自己的熔斷來保護整個電路的不受破壞，因此如何正確地選用熔斷體就顯得十分重要。
2012-05-15
過流保護—電流保險絲
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