由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性，會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性的關(guān)系，評(píng)估其對(duì)應(yīng)用、系統(tǒng)的影響，需要更多的研究及探索。

 

就靜態(tài)門(mén)極偏置而言，針對(duì)Si器件閾值特性的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試流程并不適用于SiC MOSFET。因此，一種新的測(cè)試方法——測(cè)試-偏置-測(cè)試——被用來(lái)評(píng)估SiC MOSFET的BTI（Bias-Temperature Instabilities，偏壓溫度不穩(wěn)定性）特性。它可以區(qū)分可恢復(fù)的Vth漂移以及永久性的閾值漂移。這種測(cè)量技術(shù)已經(jīng)用來(lái)對(duì)最新發(fā)布的SiC MOSFET的閾值穩(wěn)定性進(jìn)行了深度研究，結(jié)果表明英飛凌CoolSiC MOSFET Vth穩(wěn)定性在眾多的器件中表現(xiàn)優(yōu)異，具有極低的BTI以及非常窄的閾值漂移窗口。

 

英飛凌對(duì)CoolSiC MOSFET在不同的開(kāi)關(guān)條件下進(jìn)行了長(zhǎng)期的研究測(cè)試。數(shù)據(jù)顯示，長(zhǎng)期的開(kāi)關(guān)應(yīng)力會(huì)引起Vth的緩慢增加。這一現(xiàn)象，在不同品牌、不同技術(shù)的SiC MOSFET上均可以觀測(cè)到。相同偏置條件下不同器件的Vth漂移值是相似的。Vth上升會(huì)引起Rds(on)的輕微上升，長(zhǎng)期影響是通態(tài)損耗會(huì)增加。

 

需要注意的是，器件的基本功能不會(huì)被影響，主要有：

 

1、耐壓能力不會(huì)受影響

 

2、器件的可靠性等級(jí)，如抗宇宙射線能力，抵抗?jié)駳獾哪芰Φ炔粫?huì)受影響。

 

3、Vth漂移會(huì)對(duì)總的開(kāi)關(guān)損耗有輕微影響

 

影響Vth漂移的參數(shù)主要包括：

 

1、開(kāi)關(guān)次數(shù)，包括開(kāi)關(guān)頻率與操作時(shí)間

 

2、驅(qū)動(dòng)電壓，主要是Vgs(off)

 

以下參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)操作引起的Vth漂移沒(méi)有影響

 

1、結(jié)溫

 

2、漏源電壓

 

3、漏極電流

 

4、dv/dt, di/dt

 

 

長(zhǎng)期來(lái)看，對(duì)于給定的Vgs, 閾值漂移的主要影響在于會(huì)增加Rds(on)。通常來(lái)說(shuō)，增加Rds(on)會(huì)增加導(dǎo)通損耗，進(jìn)而增加結(jié)溫。在計(jì)算功率循環(huán)時(shí)，需要把這個(gè)增加的結(jié)溫也考慮進(jìn)去。

 

結(jié)溫的增加是否需要格外重視取決于實(shí)際應(yīng)用及工況。在很多案例中，即便是20年工作壽命到期后，結(jié)溫的增加仍然可以忽略不計(jì)。然而在另一些應(yīng)用中結(jié)溫的增加可能就會(huì)很重要。因此，在這種情況下，就需要根據(jù)下述的設(shè)計(jì)指導(dǎo)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電壓選擇。

 

 

通過(guò)控制門(mén)極負(fù)壓Vgs(off)，Vth漂移可以被限制在一個(gè)可接受的水平內(nèi)。不論什么情況下，關(guān)斷電壓的上限都是0V，同時(shí)，關(guān)斷電壓的下限需要根據(jù)開(kāi)通電壓、開(kāi)關(guān)頻率、以及操作時(shí)間來(lái)選擇一個(gè)合適的值，使Rds(on)的增加限制在一定范圍之內(nèi)。

 

3.1 設(shè)計(jì)指導(dǎo)

 

Vth的動(dòng)態(tài)漂移隨著開(kāi)關(guān)次數(shù)的增加而增加，為了好理解，總的開(kāi)關(guān)次數(shù)被轉(zhuǎn)化為10年內(nèi)不間斷工作（24小時(shí)/7天）的歸一化的工作頻率。知道實(shí)際工作頻率（kHz），目標(biāo)壽命（年），以及工作壽命之內(nèi)系統(tǒng)工作的百分比，歸一化的工作頻率可以通過(guò)以下公式計(jì)算

 

歸一化頻率 fsw= 實(shí)際工作頻率 fsw [kHz] ×壽命[yrs] ×工作時(shí)間占比[%] ÷ 10 [yrs]

 

使用估算得到的歸一化頻率，可以從圖1及圖2中找到最小的關(guān)斷電壓Vgs(off)下限值。圖2及圖3分別適用于Vgs(on)=15V及Vgs(on)=18V

 

圖1：Vgs(on)=15V時(shí)的最低關(guān)斷電壓Vgs(off)

 

圖2：Vgs(on)=18V時(shí)的最低關(guān)斷電壓Vgs(off)

 

可以通過(guò)以下的例子更好地理解上述計(jì)算方法。如一個(gè)光伏逆變器的典型工況：

 

1、實(shí)際工作頻率20kHz

 

2、目標(biāo)工作壽命20年

 

3、工作占比50%

 

4、歸一化的工作頻率為20 kHz * 20 yrs. * 50% / 10 yrs. = 20 kHz

 

如果開(kāi)通電壓是15V, 關(guān)斷電壓的范圍應(yīng)在-3.6到0V之間（見(jiàn)圖1）。如果開(kāi)通電壓是18V，關(guān)斷電壓的范圍應(yīng)在在-4.4V到0V之間，如圖2。

 

3.2 安全工作區(qū)定義

 

制定安全工作區(qū)的最低關(guān)斷電壓的前提是：

 

1、最低推薦門(mén)極電壓-5V

 

2、在工作壽命末期，相對(duì)于初始值，Rds(on)增加小于15%

 

因此，在安全工作區(qū)內(nèi)使用器件，在工作壽命末期，Rds(on)增長(zhǎng)將會(huì)小于15%.

 

Rds(on)的增量還取決于工作電流Id，和結(jié)溫Tj (如圖3)。因此，Rds(on)的增量需要考慮最嚴(yán)苛的工況。這能夠保證Rds(on)的增加在任何工況下都不會(huì)超過(guò)15%。工況如下：

 

1、高電流：兩倍的額定電流

 

2、中等的結(jié)溫：Tj=100℃

 

圖3：不同溫度下Rds(on)的相對(duì)增長(zhǎng)

 

通常來(lái)說(shuō)，15%的Rds(on)增量是最壞的情況。更大的增量只可能出現(xiàn)在高電流和低結(jié)溫的工況中，這在實(shí)際應(yīng)用中十分罕見(jiàn)。

 

3.3 使用18V門(mén)極電壓時(shí)的注意事項(xiàng)

 

為了與其它器件兼容，CoolSiC MOSFET可以使用18V的門(mén)極電壓。

 

請(qǐng)注意，高于15V的門(mén)極開(kāi)通電壓對(duì)于Rds(on)有兩個(gè)相反的影響

 

1、它可以減小Rds(on)

 

2、它會(huì)加速Vth漂移效應(yīng)，意味著Rds(on)的增長(zhǎng)會(huì)更快

 

對(duì)于一個(gè)相對(duì)比較低的工作頻率（大約小于50kHz），Rds(on)減小效應(yīng)占主導(dǎo)地位。

 

對(duì)于比較高的工作頻率，需要采用一個(gè)較高的負(fù)壓(更接近0V)來(lái)防止Vth漂移加速。

 

需要注意的是，門(mén)極電壓18V時(shí)的短路電流要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于15V。因此器件在Vgs(on)=18V時(shí)不能達(dá)到預(yù)定的短路能力。

 

3.4 減小關(guān)斷負(fù)壓的注意事項(xiàng)

 

器件工作在一個(gè)較高的門(mén)極負(fù)壓時(shí)（如-2V代替-5V）,對(duì)于應(yīng)用的影響很小。一些應(yīng)用相關(guān)參數(shù)需要考慮如下：

 

1、Eon 和Eoff會(huì)稍微改變

 

2、SiC MOSFET的體二極管正向壓降會(huì)降低

 

3、誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)增加，可能會(huì)增加開(kāi)通損耗。如在0V關(guān)斷，較高的的關(guān)斷門(mén)極電阻，更大的門(mén)極-源極回路電感等情況中更加明顯